德克萨斯大学奥斯汀分校(The University of Texas at Austin)的工程师们创造了迄今为止最小的存储设备后，从消费电子产品到大数据，再到大脑激发的计算，更快、更小、更聪明、更节能的芯片可能很快就会问世。在这一过程中，他们找到了释放这些小型装置的密集记忆储存能力的物理动态。

最近发表在《自然纳米技术》(Nature Nanotechnology)上的这项研究是以两年前的一项发现为基础的。当时，研究人员发明了当时最薄的存储设备。在这项新研究中，研究人员进一步缩小了面积，缩小了截面面积，缩小到一个毫微米。

掌握了将密集记忆储存能力装入这些装置的物理学处理方法，就能使这些装置缩小得多。材料中的缺陷或漏洞是释放高密度存储能力的关键。

电气与计算机工程系(Department of Electrical and Computer Engineering)教授德吉·阿金万德(Deji Akinwande)说， “如果又有一个金属原子进入这个纳米黑洞并填充其中，它就会让它在一定程度上传导到材料中，从而带来变化或记忆效应。 ”

尽管研究人员在研究中使用了硫化钼（molybdenum ，又称MoS2）作为主要纳米，但研究人员认为，这一发现可能适用于数百种相关的原子薄质材料。

制造较小芯片和部件的竞赛完全是为了电力和便利。有了较小的处理器，你就能制造出更多的精密电脑和手机。但芯片的萎缩也降低了它们的能源需求，提高了它们的产能，这意味着需要更快、更智能的设备，而这些设备的运行能力更低。

为这项研究提供资金的美国陆军研究办公室(U . S . Army Research Office)项目经理帕妮·瓦拉纳西(Pani Varanasi)说， “这项工作取得的成果为开发国防部感兴趣的下一代应用铺平了道路，比如超密存储、神经形态计算系统、无线电频率通信系统等等。 ”

研究小组最初称为"原子晶体管"的装置当时是有史以来最薄的存储器，厚度只有一层原子。但缩小内存装置不仅是为了缩小内存范围，也是为了缩小内存范围。

“科学圣杯正在缩小到一个原子控制记忆功能的水平，这就是我们在这项新研究中取得的成就， ”阿金万德说。

Akinwande的设备属于米姆里斯特(memristors)的范畴。米姆里斯特是一个广受欢迎的记忆研究领域，其核心是电气组件，能够改变两个终端之间的抵抗力，而无需在中间修建第三个终端，也就是大门。这意味着它们可能比今天的记忆装置小，而且拥有更大的储存能力。

这一版本的备忘录是利用橡树岭国家实验室的先进设施开发的，预计容量约为每平方公里25吨。与商业上现有的闪存装置相比，每层的存储密度高100倍。

参考资料： Saban M . Hus 、 Ruijing Ge 、 Po - an Chen 、 Liangbo Liang 、 Gavin E . Donnelly 、 Wonhee Ko 、 Fumin Huang 、 Meng - Hsueh Chiang 、 An - Ping Li和Deji Akinwande ， 2020年11月9日， 《自然纳米技术》 。