澜起科技凭借其先进的高速、低功耗技术，为新一代服务器平台提供符合JEDEC标准的高性能内存接口解决方案。随着JEDEC标准和内存技术的发展演变，公司先后推出了DDR2、DDR3、DDR4、DDR5系列内存缓冲芯片，可应用于FBDIMM（全缓冲双列直插内存模组）、RDIMM（寄存式双列直插内存模组）及LRDIMM（减载双列直插内存模组），满足高性能服务器对高速、大容量的内存系统的需求。

通常，内存缓冲芯片按功能可分为三类：一是寄存缓冲器（RCD，又称“寄存时钟驱动器”），用来存储缓冲来自内存控制器的地址/命令/控制信号；二是数据缓冲器（DB），用来存储缓冲来自内存控制器或内存颗粒的数据信号；三是内存缓冲器（MB），用来存储缓冲来自内存控制器的地址/命令/控制信号和来自内存控制器或内存颗粒的数据信号，此类器件的功能可以由单颗芯片（如上述的AMB、MB芯片）实现，也可以由上述RCD和DB套片实现。采用了寄存缓冲器（RCD）对地址/命令/控制信号进行存储缓冲的内存条通常称为RDIMM，而采用了内存缓冲器，或者是寄存缓冲器（RCD）及数据缓冲器（DB）套片对数据信号及地址/命令/控制信号进行存储缓冲的内存条称为LRDIMM。由于LRDIMM对内存控制器接口的所有信号都进行了缓冲，对内存控制器而言减低了其负载，故名减载内存模组。

内存缓冲芯片是内存模组（又称内存条）的核心器件，作为CPU存取内存数据的必由通路，其主要作用是提升内存数据访问的速度及稳定性，以匹配CPU日益提高的运行速度及性能。内存缓冲芯片需与内存厂商生产的各种内存颗粒和内存模组进行配套，并通过CPU厂商和内存厂商针对其功能和性能（如稳定性、运行速度和功耗等）的严格认证，才能进入大规模商用阶段。因此，研发此类产品不仅要攻克内存缓冲的核心技术难关，还要突破服务器生态系统的高准入门槛，全球范围内能成功量产此类芯片的厂商为数不多。经过十多年的精心研发，澜起推出了DDR2到DDR5系列高速、大容量内存缓冲解决方案并实现量产。目前，公司的DDR4内存缓冲产品已成功进入全球主流内存、服务器和云计算领域，占据国际市场的主要份额。